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利用蓝晶石矿原位合成SiC材料的方法
发布时间:2008-10-28      作者:      来源:本网
 

 
<申请号>200710177239
<申请日>20071113
<专利类型>发明专利
<发明名称>利用蓝晶石矿原位合成SiC材料的方法
<申请人>北京科技大学
<联系地址>北京市海淀区学院路30号
<邮编>100083
<发明人>徐利华、张冀
<摘要>
    利用蓝晶石矿原位合成SiC材料的方法,属于新型非金属矿物材料技术领域。工艺步骤为:采集蓝晶石矿石,将矿石制成细粉,并过0.074μm筛,加入粘结剂,成型,干燥,烧成,除碳,提取SiC成分。本发明的优点在于:找到了一种用于制备SiC材料的新型矿物原料。制备用的原料成本低廉且矿藏丰富,烧成反应后生成的SiC成分比例可达60%-90%,具有很高的实际价值。发明中所采用的碳热还原法制备技术工艺操作简单,成本低,已被广泛应用于SiC材料的制备工艺中,故容易掌握。
 

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