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低磷太阳能级多晶硅的制备方法
发布时间:2009-05-27      作者:      来源:本网
 

<申请号>200810115482
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申请日>20080624
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专利类型>发明专利
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发明名称>低磷太阳能级多晶硅的制备方法
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申请人>华南师范大学
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联系地址>广东省广州市番禺小谷围大学城
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邮编>510006
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发明人>陈红雨、杨春梅、李核
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摘要>
    
本发明公开了一种低磷太阳能级多晶硅的制备方法,结合高温熔炼和湿法提纯方法,将金属硅粉与金属钙粉末均匀混合在流动性的高纯氩气环境下高温熔炼,金属硅中的磷部分会气化随着流动的氩气逸出与金属硅分离,同时磷会与金属钙反应生成磷化钙,磷化钙易溶于酸,结合湿法提纯,经过4.0mol/L盐酸、3.0mol/L硝酸、王水、0.35mol/L氢氟酸在超声振荡环境下8各处理8个小时后,可以将磷等非金属杂质和各种金属杂质含量降低到太阳能级多晶硅级别,从而制得低磷太阳能级多晶硅。成本低、工艺简单、提纯效果好。

 


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